APQ25SN06AA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APQ25SN06AA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для APQ25SN06AA
APQ25SN06AA Datasheet (PDF)
apq25sn06aa.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to
apq25sn06ab.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to
Другие MOSFET... APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , IRF3710 , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM4025D | AGM4025A | AGM401LL | AGM401C | AGM401A | AGM4018S | AGM4012A | AGM4008LL | AGM4005LLM1 | AGM4005LL | AGM3416EL | AGM3416E | AGM3415E | AGM3407E | AGM3404EL | AGMH402C
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor