APQ25SN06AA - описание и поиск аналогов

 

APQ25SN06AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ25SN06AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для APQ25SN06AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ25SN06AA даташит

 ..1. Size:359K  alpha pacific
 apq25sn06aa.pdf pdf_icon

APQ25SN06AA

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m (typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:374K  alpha pacific
 apq25sn06ab.pdf pdf_icon

APQ25SN06AA

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m (typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , IRFB4227 , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH .

History: APQ10SN60A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.