Справочник MOSFET. APQ25SN06AA

 

APQ25SN06AA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ25SN06AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для APQ25SN06AA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ25SN06AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  alpha pacific
 apq25sn06aa.pdf pdf_icon

APQ25SN06AA

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:374K  alpha pacific
 apq25sn06ab.pdf pdf_icon

APQ25SN06AA

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: KF5N60I | SPW35N60CFD | IRF1010ZS | KDB2532

 

 
Back to Top

 


 
.