IRFS732. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS732

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS732

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS732 даташит

 ..1. Size:309K  1
 irfs730 irfs731 irfs732 irfs733.pdf pdf_icon

IRFS732

 8.1. Size:286K  1
 irfs730 irfs731.pdf pdf_icon

IRFS732

 8.2. Size:904K  fairchild semi
 irfs730b.pdf pdf_icon

IRFS732

 8.3. Size:506K  samsung
 irfs730a.pdf pdf_icon

IRFS732

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.765 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, IRFS723, IRFS730, IRFS730A, IRFS731, STF13NM60N, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741, IRFS742, IRFS743, IRFS750A, IRFS820