Справочник MOSFET. APQ50SN06AD

 

APQ50SN06AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ50SN06AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APQ50SN06AD

 

 

APQ50SN06AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  alpha pacific
 apq50sn06ad.pdf

APQ50SN06AD APQ50SN06AD

DEVICE SPECIFICATION APQ50SN06AD 60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =19m(typ)VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

 4.1. Size:92K  alpha pacific
 apq50sn06a.pdf

APQ50SN06AD APQ50SN06AD

DEVICE SPECIFICATION apQ50SN06A60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A, RDS(on) =19m(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state

 4.2. Size:558K  alpha pacific
 apq50sn06ah.pdf

APQ50SN06AD APQ50SN06AD

DEVICE SPECIFICATION APQ50SN06AH 60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A, effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =19m(typ)VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-st

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top