APQ84SN06AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APQ84SN06AD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 687 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APQ84SN06AD
APQ84SN06AD Datasheet (PDF)
apq84sn06ad.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ)VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state
apq84sn06ah.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ)VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state
apq84sn06a.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ84SN06A60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A, RDS(on) =12m(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =50.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta
Другие MOSFET... APQ57SN10BH , APQ5ESN40A , APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , STP80NF70 , APQ84SN06AH , APQ9ESN20AB , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918