Справочник MOSFET. APQ84SN06AD

 

APQ84SN06AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ84SN06AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 687 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APQ84SN06AD

 

 

APQ84SN06AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  alpha pacific
apq84sn06ad.pdf

APQ84SN06AD
APQ84SN06AD

DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ)VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state

 4.1. Size:714K  alpha pacific
apq84sn06ah.pdf

APQ84SN06AD
APQ84SN06AD

DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ)VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state

 4.2. Size:92K  alpha pacific
apq84sn06a.pdf

APQ84SN06AD
APQ84SN06AD

DEVICE SPECIFICATION apQ84SN06A60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A, RDS(on) =12m(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =50.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Другие MOSFET... APQ57SN10BH , APQ5ESN40A , APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , STP80NF70 , APQ84SN06AH , APQ9ESN20AB , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 .

 

 
Back to Top