CED5175. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED5175

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CED5175

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED5175 даташит

 ..1. Size:246K  cet
 ced5175 ceu5175.pdf pdf_icon

CED5175

CED5175/CEU5175 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -55V, -40A, RDS(ON) = 23m @VGS = -10V. RDS(ON) = 28m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUT

Другие IGBT... APQ84SN06AD, APQ84SN06AH, APQ9ESN20AB, CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, IRFB3607, CED6042, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, CEDM7002AE, CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001