Справочник MOSFET. CED5175

 

CED5175 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED5175
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CED5175

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED5175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  cet
 ced5175 ceu5175.pdf pdf_icon

CED5175

CED5175/CEU5175P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-55V, -40A, RDS(ON) = 23m @VGS = -10V. RDS(ON) = 28m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUT

Другие MOSFET... APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , APQ9ESN20AB , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , AON7506 , CED6042 , CEDM7001 , CEDM7001E , CEDM7001VL , CEDM7002AE , CEDM7004 , CEDM7004VL , CEDM8001 .

History: 50N06F | STD4NK60Z-1 | NTD4815NH-1G | VS4614AS-A | AOT2144L | HSBA6048 | HAF2011L

 

 
Back to Top

 


 
.