CED6042 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CED6042 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CED6042
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CED6042 даташит
ced6042.pdf
CED6042/CEU6042 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 90A , RDS(ON) = 5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
ceu6086 ced6086.pdf
CED6086/CEU6086 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 50A, RDS(ON) = 8.7m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw
ceu6060n ced6060n.pdf
CED6060N/CEU6060N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 34A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe
ceu6056 ced6056.pdf
CED6056/CEU6056 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 76A , RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe
Другие IGBT... APQ84SN06AH, APQ9ESN20AB, CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, CED5175, RFP50N06, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, CEDM7002AE, CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W | BC1012T | BC1012 | 2SK3019WT | 2SK3019W | 2SK3018WT | CS95118 | CS85105A
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087




