IRFS740A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS740A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS740A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS740A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  samsung
 irfs740a.pdf pdf_icon

IRFS740A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

 7.1. Size:304K  1
 irfs740 irfs741 irfs742 irfs743.pdf pdf_icon

IRFS740A

 7.2. Size:276K  1
 irfs740 irfs741.pdf pdf_icon

IRFS740A

 7.3. Size:924K  fairchild semi
 irf740b irfs740b.pdf pdf_icon

IRFS740A

November 2001IRF740B/IRFS740B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS722 , IRFS723 , IRFS730 , IRFS730A , IRFS731 , IRFS732 , IRFS733 , IRFS740 , 8N60 , IRFS741 , IRFS742 , IRFS743 , IRFS750A , IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 .

History: APT30M40LVFR | DH100P18 | DH100P18I | FQI3N90TU | APT30M85BVR | DH100P18F

 

 
Back to Top

 


 
.