CEDM7001E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEDM7001E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT-883L

Аналог (замена) для CEDM7001E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDM7001E даташит

 ..1. Size:219K  central
 cedm7001e.pdf pdf_icon

CEDM7001E

 6.1. Size:358K  central
 cedm7001.pdf pdf_icon

CEDM7001E

 6.2. Size:972K  central
 cedm7001vl.pdf pdf_icon

CEDM7001E

CEDM7001VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7001VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET packaged in the very low profile SOT-883VL case. The device is designed for space constrained high speed amplifier and driver applications where package height is a critical design element. This MOSFET of

 7.1. Size:1044K  central
 cedm7004vl.pdf pdf_icon

CEDM7001E

CEDM7004VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and low threshold voltage. MARKING CODE S COMPLEMENTARY P-CHA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001, CS150N03A8, CEDM7001VL, CEDM7002AE, CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL