CEDM7002AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEDM7002AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-883L

Аналог (замена) для CEDM7002AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDM7002AE даташит

 ..1. Size:805K  central
 cedm7002ae.pdf pdf_icon

CEDM7002AE

CEDM7002AE ENHANCED SPECIFICATION www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7002AE MOSFET is a special ESD protected version of the 2N7002 enhancement-mode N-Channel MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. MARKING CODE 7 SOT-883L CASE APPLICATIONS FEATURES Load/Power switc

 7.1. Size:358K  central
 cedm7001.pdf pdf_icon

CEDM7002AE

 7.2. Size:1044K  central
 cedm7004vl.pdf pdf_icon

CEDM7002AE

CEDM7004VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and low threshold voltage. MARKING CODE S COMPLEMENTARY P-CHA

 7.3. Size:219K  central
 cedm7001e.pdf pdf_icon

CEDM7002AE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, AON7506, CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, CEEF02N65G, CEF05N8