CEDM7004. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEDM7004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: SOT-883L

Аналог (замена) для CEDM7004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEDM7004 даташит

 ..1. Size:1035K  central
 cedm7004.pdf pdf_icon

CEDM7004

CEDM7004 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004 SILICON MOSFET is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE S FEA

 0.1. Size:1044K  central
 cedm7004vl.pdf pdf_icon

CEDM7004

CEDM7004VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and low threshold voltage. MARKING CODE S COMPLEMENTARY P-CHA

 7.1. Size:358K  central
 cedm7001.pdf pdf_icon

CEDM7004

 7.2. Size:219K  central
 cedm7001e.pdf pdf_icon

CEDM7004

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, CEDM7002AE, STP80NF70, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, CEEF02N65G, CEF05N8, CEF18N5