Справочник MOSFET. CEM101

 

CEM101 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для CEM101

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  cet
 cem101.pdf pdf_icon

CEM101

CEM1010Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 9.5A, RDS(ON) = 15.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise not

 0.1. Size:432K  cet
 cem1010.pdf pdf_icon

CEM101

CEM1010Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 9.5A, RDS(ON) = 15.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise not

Другие MOSFET... CEDM8001 , CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , CEEF02N65G , CEF05N8 , CEF18N5 , CEF30N3 , 13N50 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 , HX2N60 .

History: CS16N60P | APQ4ESN50A | AP65SL380AI | 2SK2136 | NCE65T180D | SWB13N65K2 | D18N20

 

 
Back to Top

 


 
.