CEM101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CEM101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM101 даташит

 ..1. Size:406K  cet
 cem101.pdf pdf_icon

CEM101

CEM1010 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 9.5A, RDS(ON) = 15.5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise not

 0.1. Size:432K  cet
 cem1010.pdf pdf_icon

CEM101

CEM1010 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 9.5A, RDS(ON) = 15.5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise not

Другие IGBT... CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, CEEF02N65G, CEF05N8, CEF18N5, CEF30N3, 5N60, CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, CEU5175, HX2N60