Справочник MOSFET. HY125N10T

 

HY125N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY125N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY125N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY125N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  hy
 hy125n10t.pdf pdf_icon

HY125N10T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY125N10T 100V / 125A100V, RDS(ON)=5.8mW@VGS=10V, ID=40AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

Другие MOSFET... HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , IRFZ48N , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.