Справочник MOSFET. HY125N10T

 

HY125N10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY125N10T
   Маркировка: 125N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 178 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для HY125N10T

 

 

HY125N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  hy
 hy125n10t.pdf

HY125N10T HY125N10T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY125N10T 100V / 125A100V, RDS(ON)=5.8mW@VGS=10V, ID=40AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top