HY125N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY125N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY125N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY125N10T даташит

 ..1. Size:222K  hy
 hy125n10t.pdf pdf_icon

HY125N10T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY125N10T 100V / 125A 100V, RDS(ON)=5.8mW@VGS=10V, ID=40A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product

Другие IGBT... HX2N60, HX4N60, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, STP65NF06, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D