HY13N50T - аналоги и даташиты транзистора

 

HY13N50T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY13N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY13N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY13N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  hy
 hy13n50t.pdf pdf_icon

HY13N50T

HY13N50T / HY13N50FT 500V / 13A500V, RDS(ON)=0.52W@VGS=10V, ID=6.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие MOSFET... HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , HY125N10T , HY12N65T , 7N60 , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D , HY2N60T , HY2N65D .

History: AFN4172S

 

 
Back to Top

 


 
.