HY13N50T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY13N50T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY13N50T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY13N50T даташит

 ..1. Size:144K  hy
 hy13n50t.pdf pdf_icon

HY13N50T

HY13N50T / HY13N50FT 500V / 13A 500V, RDS(ON)=0.52W@VGS=10V, ID=6.5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие IGBT... HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, 7N60, HY150N075T, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D