HY4N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY4N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HY4N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4N65D даташит

 ..1. Size:168K  hy
 hy4n65d.pdf pdf_icon

HY4N65D

SINGLE FIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT 1 2MAXIMUM5 10 1 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz ( ) 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125 HY4N65D / HY4N65M 650V / 4A 650V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 8.1. Size:145K  hy
 hy4n65t.pdf pdf_icon

HY4N65D

HY4N65T / HY4N65FT 650V / 4A 650V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

 9.1. Size:101K  hy
 hy4n60t.pdf pdf_icon

HY4N65D

HY4N60T / HY4N60FT 600V / 4.0A 600V, RDS(ON)=2.4 @VGS=10V, ID=2.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S

 9.2. Size:181K  hy
 hy4n60d.pdf pdf_icon

HY4N65D

HY4N60D / HY4N60M 600V / 4.0A 600V, RDS(ON)=2.4 @VGS=10V, ID=2.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 2 1 1 D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G 3 DS3 S Mec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T, HY3N80T, HY4N60D, HY4N60T, IRFP064N, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T