Справочник MOSFET. HY6N60D

 

HY6N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY6N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HY6N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY6N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  hy
 hy6n60d.pdf pdf_icon

HY6N60D

HY6N60D / HY6N60M600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMec

 8.1. Size:106K  hy
 hy6n60t.pdf pdf_icon

HY6N60D

HY6N60T / HY6N60FT600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

Другие MOSFET... HY3N80T , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , IRF740 , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T .

History: FQI5N30TU | AP9938GEY

 

 
Back to Top

 


 
.