HY6N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY6N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HY6N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY6N60D даташит

 ..1. Size:185K  hy
 hy6n60d.pdf pdf_icon

HY6N60D

HY6N60D / HY6N60M 600V / 6.0A 600V, RDS(ON)=1.8 @VGS=10V, ID=3.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 2 1 1 D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G 3 DS3 S Mec

 8.1. Size:106K  hy
 hy6n60t.pdf pdf_icon

HY6N60D

HY6N60T / HY6N60FT 600V / 6.0A 600V, RDS(ON)=1.8 @VGS=10V, ID=3.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S

Другие IGBT... HY3N80T, HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, IRF740, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T