HY75N075T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY75N075T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY75N075T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY75N075T даташит

 ..1. Size:220K  hy
 hy75n075t.pdf pdf_icon

HY75N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY75N075T 75V / 75A 75V, RDS(ON)=9.0mW@VGS=10V, ID=20A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (

 9.1. Size:216K  hy
 hy75n10t.pdf pdf_icon

HY75N075T

HY75N10T 100V / 75A 100V, RDS(ON)=13mW@VGS=10V, ID=30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain 2 In compliance with E

Другие IGBT... HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, 20N60, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R