HY75N10T - аналоги и даташиты транзистора

 

HY75N10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY75N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY75N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  hy
 hy75n10t.pdf pdf_icon

HY75N10T

HY75N10T 100V / 75A100V, RDS(ON)=13mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain 2 In compliance with E

 9.1. Size:220K  hy
 hy75n075t.pdf pdf_icon

HY75N10T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY75N075T 75V / 75A75V, RDS(ON)=9.0mW@VGS=10V, ID=20AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (

Другие MOSFET... HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , IRF540 , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q .

History: BLP065N10GL-B | VBZE40P03

 

 
Back to Top

 


 
.