Справочник MOSFET. HY80N07T

 

HY80N07T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY80N07T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для HY80N07T

 

 

HY80N07T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  hy
 hy80n07t.pdf

HY80N07T HY80N07T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY80N07T 65V / 80A65V, RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( F

 7.1. Size:216K  hy
 hy80n075t.pdf

HY80N07T HY80N07T

HY80N075T 75V / 80A75V, RDS(ON)=8.0mW@VGS=10V, ID=40AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain In compliance with EU Ro

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top