HY80N07T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY80N07T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY80N07T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY80N07T даташит

 ..1. Size:222K  hy
 hy80n07t.pdf pdf_icon

HY80N07T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY80N07T 65V / 80A 65V, RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V, ID=30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( F

 7.1. Size:216K  hy
 hy80n075t.pdf pdf_icon

HY80N07T

HY80N075T 75V / 80A 75V, RDS(ON)=8.0mW@VGS=10V, ID=40A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain In compliance with EU Ro

Другие IGBT... HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, IRFP460, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, RU16P8M4