Справочник MOSFET. RU1H190S

 

RU1H190S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H190S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU1H190S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H190S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  ruichips
 ru1h190s.pdf pdf_icon

RU1H190S

RU1H190SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/190A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application SystemsN-Channe

 7.1. Size:303K  ruichips
 ru1h190r.pdf pdf_icon

RU1H190S

RU1H190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/190A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application SystemsN-Channe

 9.1. Size:292K  ruichips
 ru1h130q.pdf pdf_icon

RU1H190S

RU1H130QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description100V/130A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DApplications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS High Speed Power SwitchingGSN-Chan

 9.2. Size:321K  ruichips
 ru1h130r.pdf pdf_icon

RU1H190S

RU1H130RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description100V/130A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS High Speed Power SwitchingGSN-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU190N10S , RU1C001UN , RU1C001ZP , RU1H100R , RU1H130Q , RU1H130R , RU1H130S , RU1H190R , 7N65 , RU1H300Q , RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.