RU1H36L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H36L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU1H36L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H36L даташит

 ..1. Size:279K  ruichips
 ru1h36l.pdf pdf_icon

RU1H36L

RU1H36L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 8.1. Size:291K  ruichips
 ru1h36r.pdf pdf_icon

RU1H36L

RU1H36R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 8.2. Size:282K  ruichips
 ru1h36s.pdf pdf_icon

RU1H36L

RU1H36S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 9.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H36L

RU1H35Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-247 Applications Switching application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU1H190R, RU1H190S, RU1H300Q, RU1H35K, RU1H35L, RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, IRF4905, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, RU1H60R, RU1H7H, RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L