RU1HL13K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1HL13K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 616 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для RU1HL13K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HL13K даташит

 ..1. Size:296K  ruichips
 ru1hl13k.pdf pdf_icon

RU1HL13K

RU1HL13K P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -100V/-13A, RDS (ON) =160m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =180m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO251 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management DC/DC Converters P-Cha

 7.1. Size:293K  ruichips
 ru1hl13l.pdf pdf_icon

RU1HL13K

RU1HL13L P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -100V/-13A, RDS (ON) =160m (tpy.)@VGS=-10V RDS (ON) =180m (tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management DC/DC Converters P-Cha

 7.2. Size:301K  ruichips
 ru1hl13r.pdf pdf_icon

RU1HL13K

RU1HL13R P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -100V/-13A, RDS (ON) =160m (tpy.)@VGS=-10V RDS (ON) =180m (tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management DC/DC Converters P-Ch

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru1hl8l.pdf pdf_icon

RU1HL13K

RU1HL8L P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -100V/-10A, RDS (ON) =120m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =180m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management DC/DC Converters P-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D, RU1HE4H, IRFB3607, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, RU1Z120R, RU1Z200Q