RU1HL13R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU1HL13R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU1HL13R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 616 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1HL13R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HL13R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru1hl13r.pdf pdf_icon

RU1HL13R

RU1HL13RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Ch

 7.1. Size:293K  ruichips
 ru1hl13l.pdf pdf_icon

RU1HL13R

RU1HL13LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 7.2. Size:296K  ruichips
 ru1hl13k.pdf pdf_icon

RU1HL13R

RU1HL13KP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO251 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru1hl8l.pdf pdf_icon

RU1HL13R

RU1HL8LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-10A,RDS (ON) =120m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , AO4407 , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L .

History: RJK03E0DNS

 

 
Back to Top

 


 
.