Справочник MOSFET. RU1HL13R

 

RU1HL13R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU1HL13R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 616 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RU1HL13R

 

 

RU1HL13R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru1hl13r.pdf

RU1HL13R RU1HL13R

RU1HL13RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Ch

 7.1. Size:293K  ruichips
 ru1hl13l.pdf

RU1HL13R RU1HL13R

RU1HL13LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 7.2. Size:296K  ruichips
 ru1hl13k.pdf

RU1HL13R RU1HL13R

RU1HL13KP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO251 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru1hl8l.pdf

RU1HL13R RU1HL13R

RU1HL8LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-10A,RDS (ON) =120m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Chan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top