IRFS830A - описание и поиск аналогов

 

IRFS830A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS830A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS830A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS830A даташит

 ..1. Size:499K  samsung
 irfs830a.pdf pdf_icon

IRFS830A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 1.169 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 7.1. Size:284K  1
 irfs830 irfs831.pdf pdf_icon

IRFS830A

 7.2. Size:308K  1
 irfs830 irfs831 irfs832 irfs833.pdf pdf_icon

IRFS830A

 7.3. Size:888K  fairchild semi
 irf830b irfs830b.pdf pdf_icon

IRFS830A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS743 , IRFS750A , IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 , IRFS823 , IRFS830 , IRLB3034 , IRFS831 , IRFS832 , IRFS833 , IRFS840 , IRFS840A , IRFS841 , IRFS842 , IRFS843 .

History: SM4373NSKP | APQ09SN50A | IRL40T209 | IRFZ44ELPBF | APQ0CSN60A | IRL60HS118 | BUK7675-55

 

 

 

 

↑ Back to Top
.