RU20E60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU20E60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU20E60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20E60L даташит

 ..1. Size:323K  ruichips
 ru20e60l.pdf pdf_icon

RU20E60L

RU20E60L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications DC/DC converter Motor Drives G S N-Cha

 9.1. Size:278K  ruichips
 ru20e8h.pdf pdf_icon

RU20E60L

RU20E8H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/8.8A, RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute

Другие IGBT... RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M, RU20D10H, SI2302, RU20E8H, RU20P18L, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7