RU20E60L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU20E60L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU20E60L
RU20E60L Datasheet (PDF)
ru20e60l.pdf

RU20E60LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5VD Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC converter Motor DrivesGSN-Cha
ru20e8h.pdf

RU20E8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/8.8A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute
Другие MOSFET... RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RU20D10H , IRFZ46N , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 .
History: 2SK2607 | SSM3K126TU | IPB60R230P6 | SSM4228GM | DTM4946 | NTD15N06-001 | SQ2398ES
History: 2SK2607 | SSM3K126TU | IPB60R230P6 | SSM4228GM | DTM4946 | NTD15N06-001 | SQ2398ES



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet