Справочник MOSFET. RU20E60L

 

RU20E60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU20E60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU20E60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20E60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  ruichips
 ru20e60l.pdf pdf_icon

RU20E60L

RU20E60LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5VD Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC converter Motor DrivesGSN-Cha

 9.1. Size:278K  ruichips
 ru20e8h.pdf pdf_icon

RU20E60L

RU20E8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/8.8A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute

Другие MOSFET... RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RU20D10H , IRFZ46N , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 .

History: AP6680AGM-HF | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | PDC8974X | ELM13407CA-S | FKP330C

 

 
Back to Top

 


 
.