IRFS831. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS831

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS831

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS831 даташит

 ..1. Size:284K  1
 irfs830 irfs831.pdf pdf_icon

IRFS831

 ..2. Size:308K  1
 irfs830 irfs831 irfs832 irfs833.pdf pdf_icon

IRFS831

 8.1. Size:888K  fairchild semi
 irf830b irfs830b.pdf pdf_icon

IRFS831

 8.2. Size:499K  samsung
 irfs830a.pdf pdf_icon

IRFS831

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 1.169 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS750A, IRFS820, IRFS820A, IRFS821, IRFS822, IRFS823, IRFS830, IRFS830A, IRF9640, IRFS832, IRFS833, IRFS840, IRFS840A, IRFS841, IRFS842, IRFS843, IRFS9130