RU30100L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30100L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU30100L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30100L даташит

 ..1. Size:296K  ruichips
 ru30100l.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30100L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/100A, RDS (ON) =2.2 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Proces

 7.1. Size:306K  ruichips
 ru30100r.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30100R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/110A, RDS (ON) =4 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Max

 8.1. Size:281K  ruichips
 ru3010h.pdf pdf_icon

RU30100L

RU3010H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/8A, RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unless Other

 8.2. Size:304K  ruichips
 ru30105r.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30105R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/125A, RDS (ON) =3.2 m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S, RU2HE2D, RU2HE5L, IRLB3034, RU30100R, RU30105L, RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU30120L, RU30120S, RU3013H