RU30100L - аналоги и даташиты транзистора

 

RU30100L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU30100L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU30100L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30100L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  ruichips
 ru30100l.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30100LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/100A,RDS (ON) =2.2 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

 7.1. Size:306K  ruichips
 ru30100r.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30100RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/110A,RDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Max

 8.1. Size:281K  ruichips
 ru3010h.pdf pdf_icon

RU30100L

RU3010HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/8A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless Other

 8.2. Size:304K  ruichips
 ru30105r.pdf pdf_icon

RU30100L

RU30105RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/125A,RDS (ON) =3.2 m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S , RU2HE2D , RU2HE5L , EMB04N03H , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , RU30120L , RU30120S , RU3013H .

History: NCE65N680I | SRC11N65TC | SSP65R190SFD | SSP65R1K2S2E | 5N50L-TF1-T | RU2HE2D

 

 
Back to Top

 


 
.