Справочник MOSFET. RU3010H

 

RU3010H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3010H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU3010H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3010H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  ruichips
 ru3010h.pdf pdf_icon

RU3010H

RU3010HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/8A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless Other

 8.1. Size:296K  ruichips
 ru30100l.pdf pdf_icon

RU3010H

RU30100LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/100A,RDS (ON) =2.2 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

 8.2. Size:306K  ruichips
 ru30100r.pdf pdf_icon

RU3010H

RU30100RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/110A,RDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Max

 8.3. Size:304K  ruichips
 ru30105r.pdf pdf_icon

RU3010H

RU30105RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/125A,RDS (ON) =3.2 m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU2H50S , RU2HE2D , RU2HE5L , RU30100L , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , 2SK3918 , RU30120L , RU30120S , RU3013H , RU30140R , RU30160R , RU30160S , RU3020H , RU3020L .

History: WMP07N65C4 | WMO048NV6HG4

 

 
Back to Top

 


 
.