Справочник MOSFET. RU3050L

 

RU3050L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3050L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU3050L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3050L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
 ru3050l.pdf pdf_icon

RU3050L

RU3050LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/55A,RDS (ON) =7 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymb

Другие MOSFET... RU30231R , RU30290R , RU30291R , RU30300R , RU3030M2 , RU3040M , RU3040M2 , RU304B , IRFZ44 , RU3065L , RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , RU3090M , RU30C8H , RU30D10H .

History: 2SK867A | 4N70L-T2Q-T | BUK9Y65-100E | AFP8995 | SHD225613 | NCE8295AK | VBM1615

 

 
Back to Top

 


 
.