RU3050L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3050L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU3050L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3050L даташит

 ..1. Size:293K  ruichips
 ru3050l.pdf pdf_icon

RU3050L

RU3050L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/55A, RDS (ON) =7 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symb

Другие IGBT... RU30231R, RU30290R, RU30291R, RU30300R, RU3030M2, RU3040M, RU3040M2, RU304B, IRFZ44, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, RU3090M, RU30C8H, RU30D10H