RU3050L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU3050L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU3050L
RU3050L Datasheet (PDF)
ru3050l.pdf

RU3050LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/55A,RDS (ON) =7 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymb
Другие MOSFET... RU30231R , RU30290R , RU30291R , RU30300R , RU3030M2 , RU3040M , RU3040M2 , RU304B , IRF640 , RU3065L , RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , RU3090M , RU30C8H , RU30D10H .
History: NCE40ND25Q | R6509KNJ | IRF5805TRPBF | PNMTOF600V7 | PSMN3R4-30BLE | BUK7207-30B | VBZJ12N06
History: NCE40ND25Q | R6509KNJ | IRF5805TRPBF | PNMTOF600V7 | PSMN3R4-30BLE | BUK7207-30B | VBZJ12N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690