RU30D8H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30D8H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU30D8H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30D8H даташит

 ..1. Size:266K  ruichips
 ru30d8h.pdf pdf_icon

RU30D8H

RU30D8H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/7A, RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =45m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unless

 9.1. Size:267K  ruichips
 ru30d10h.pdf pdf_icon

RU30D8H

RU30D10H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/10A, RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

 9.2. Size:263K  ruichips
 ru30d20m3.pdf pdf_icon

RU30D8H

RU30D20M3 Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=10V S2G2 RDS (ON) =11.5m (Typ.)@VGS=4.5V S1G1 Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged D2 100% avalanche tested D2 D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1 PIN1 DFN303

 9.3. Size:386K  ruichips
 ru30d20m2.pdf pdf_icon

RU30D8H

RU30D20M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=10V D2D2 D1D1 RDS (ON) =11.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge G2 100% avalanche tested S1G1S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PIN1 PDFN3333 D1 D2 Applications Switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, RU3090M, RU30C8H, RU30D10H, IRF3710, RU30E30L, RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, RU30E7H, RU30L15H, RU30L30M, RU30P3B