Справочник MOSFET. RU30E30L

 

RU30E30L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU30E30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RU30E30L

 

 

RU30E30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  ruichips
 ru30e30l.pdf

RU30E30L RU30E30L

RU30E30LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converter Motor DrivesN-Channel MOSFET

 9.1. Size:277K  ruichips
 ru30e7h.pdf

RU30E30L RU30E30L

RU30E7HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7.8A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.2. Size:323K  ruichips
 ru30e4b.pdf

RU30E30L RU30E30L

RU30E4BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rating

 9.3. Size:293K  ruichips
 ru30e40l.pdf

RU30E30L RU30E30L

RU30E40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/60A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.4. Size:331K  ruichips
 ru30e60m2.pdf

RU30E30L RU30E30L

RU30E60M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10VDDD RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Ulta Low On-Resistance ESD Protected(Rating 4KV HBM) Fast Switching Speed GSSS 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN33

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top