Справочник MOSFET. RU30E30L

 

RU30E30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30E30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU30E30L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30E30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  ruichips
 ru30e30l.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E30LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converter Motor DrivesN-Channel MOSFET

 9.1. Size:277K  ruichips
 ru30e7h.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E7HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7.8A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.2. Size:323K  ruichips
 ru30e4b.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E4BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rating

 9.3. Size:293K  ruichips
 ru30e40l.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/60A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , RU3090M , RU30C8H , RU30D10H , RU30D8H , IRFB4227 , RU30E40L , RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M , RU30P3B , RU30P4B .

History: IRF7311 | WML26N60C4 | FDB3672-F085 | HRP90N75K | STB20NM50T4 | IRFR2407 | WNM07N60

 

 
Back to Top

 


 
.