RU30E30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30E30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU30E30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30E30L даташит

 ..1. Size:289K  ruichips
 ru30e30l.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E30L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =26m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converter Motor Drives N-Channel MOSFET

 9.1. Size:277K  ruichips
 ru30e7h.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E7H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/7.8A, RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

 9.2. Size:323K  ruichips
 ru30e4b.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E4B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

 9.3. Size:293K  ruichips
 ru30e40l.pdf pdf_icon

RU30E30L

RU30E40L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, RU3090M, RU30C8H, RU30D10H, RU30D8H, 10N60, RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, RU30E7H, RU30L15H, RU30L30M, RU30P3B, RU30P4B