Справочник MOSFET. RU30P3B

 

RU30P3B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30P3B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU30P3B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30P3B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  ruichips
 ru30p3b.pdf pdf_icon

RU30P3B

RU30P3BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-3.5A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSym

 9.1. Size:303K  ruichips
 ru30p5h.pdf pdf_icon

RU30P3B

RU30P5HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-5.5A,RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =55m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA

 9.2. Size:338K  ruichips
 ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P3B

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter

 9.3. Size:658K  ruichips
 ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P3B

RU30P40M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=-10VGSSRDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=-4.5VS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DDDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30D8H , RU30E30L , RU30E40L , RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M , AON7408 , RU30P4B , RU30P4C , RU30P4C6 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H .

History: STB18N60M2 | STC2201 | KCY3310A | NCE40H25LL | IRF7379 | IRLU9343 | RUH1H150R

 

 
Back to Top

 


 
.