Справочник MOSFET. RU40120M

 

RU40120M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU40120M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 205 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060

 Аналог (замена) для RU40120M

 

 

RU40120M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  ruichips
ru40120m.pdf

RU40120M
RU40120M

RU40120MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=10V DDDD Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GSSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Power SupplyG

 7.1. Size:301K  ruichips
ru40120r.pdf

RU40120M
RU40120M

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 7.2. Size:322K  ruichips
ru40120s.pdf

RU40120M
RU40120M

RU40120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,D RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating U

 7.3. Size:322K  ruichips
ru40120l.pdf

RU40120M
RU40120M

RU40120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top