Справочник MOSFET. RU40130R

 

RU40130R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU40130R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40130R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru40130r.pdf pdf_icon

RU40130R

RU40130RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/135A,RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Un

 9.1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40130R

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.2. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40130R

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 9.3. Size:628K  ruichips
 ru40191s.pdf pdf_icon

RU40130R

RU40191SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M , RU40120R , RU40120S , CS150N03A8 , RU40150R , RU40150S , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 , RU40231R , RU40280R .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.