RU40150S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40150S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU40150S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40150S даташит

 ..1. Size:292K  ruichips
ru40150s.pdfpdf_icon

RU40150S

RU40150S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/150A, RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

 7.1. Size:301K  ruichips
ru40150r.pdfpdf_icon

RU40150S

RU40150R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/150A, RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

 9.1. Size:296K  ruichips
ru40190q2.pdfpdf_icon

RU40150S

RU40190Q2 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-3P Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

 9.2. Size:301K  ruichips
ru40120r.pdfpdf_icon

RU40150S

RU40120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Power Supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

Другие IGBT... RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R, RU40120S, RU40130R, RU40150R, IRF530, RU40190Q2, RU40190S, RU40220R, RU40231Q2, RU40231R, RU40280R, RU4068L, RU4089R