Справочник MOSFET. RU40150S

 

RU40150S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU40150S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU40150S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40150S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  ruichips
 ru40150s.pdf pdf_icon

RU40150S

RU40150SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/150A,RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 7.1. Size:301K  ruichips
 ru40150r.pdf pdf_icon

RU40150S

RU40150RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/150A,RDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40150S

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.2. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40150S

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M , RU40120R , RU40120S , RU40130R , RU40150R , AO4407 , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 , RU40231R , RU40280R , RU4068L , RU4089R .

History: NP48N055MLE | WSD2075DN | WMM07N70C4 | ME7114S

 

 
Back to Top

 


 
.