Справочник MOSFET. RU55L18R

 

RU55L18R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU55L18R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU55L18R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru55l18r.pdf pdf_icon

RU55L18R

RU55L18RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC

 7.1. Size:308K  ruichips
 ru55l18l.pdf pdf_icon

RU55L18R

RU55L18LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC C

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSM9971GM | BUK455-100B | SSF65R420S2 | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.