RU55L18R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU55L18R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU55L18R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU55L18R даташит

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru55l18r.pdf pdf_icon

RU55L18R

RU55L18R P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -60V/-16A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =125m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switch DC/DC

 7.1. Size:308K  ruichips
 ru55l18l.pdf pdf_icon

RU55L18R

RU55L18L P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -60V/-16A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =125m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switch DC/DC C

Другие IGBT... RU40P3C, RU40P4H, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, P60NF06, RU5H13R, RU5H18Q, RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R