Справочник MOSFET. RU6055S

 

RU6055S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6055S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 388 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6055S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  ruichips
 ru6055s.pdf pdf_icon

RU6055S

RU6055SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/60A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitC

 8.1. Size:284K  ruichips
 ru6055l.pdf pdf_icon

RU6055S

RU6055LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/60A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications DC-DC Converters and Off-line UPS High Speed Power Switching High Frequency CircuitsN-Channel MOSFETAbsolute Maxim

 8.2. Size:300K  ruichips
 ru6055r.pdf pdf_icon

RU6055S

RU6055RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/60A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitC

 9.1. Size:372K  ruichips
 ru6051k.pdf pdf_icon

RU6055S

RU6051KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DDDDDDDApplicationspp DC-DC Converters

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , 8205A , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.