RU6099S - аналоги и даташиты транзистора

 

 

RU6099S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU6099S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU6099S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

RU6099S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru6099s.pdf pdf_icon

RU6099S

RU6099SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/120A,RDS (ON) =6m(Typ.) @VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green AvailableSTO263DApplications Switching Application Systems Inverter

 8.1. Size:338K  ruichips
 ru6099r.pdf pdf_icon

RU6099S

RU6099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

Другие MOSFET... RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , IRF740 , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H .

History: FQD6N40CTM | HYG018N10NS1B6 | FQD2N90TF | HY5110W

 

 
Back to Top

 


 
.