RU6099S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6099S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU6099S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6099S даташит

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru6099s.pdf pdf_icon

RU6099S

RU6099S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m(Typ.) @VGS=10V D Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Available S TO263 D Applications Switching Application Systems Inverter

 8.1. Size:338K  ruichips
 ru6099r.pdf pdf_icon

RU6099S

RU6099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

Другие IGBT... RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, IRF740, RU60C20R5, RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H