Справочник MOSFET. RU6888M

 

RU6888M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU6888M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
   Время нарастания (tr): 32 ns
   Выходная емкость (Cd): 310 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060

 Аналог (замена) для RU6888M

 

 

RU6888M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
ru6888m.pdf

RU6888M
RU6888M

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 8.1. Size:461K  ruichips
ru6888.pdf

RU6888M
RU6888M

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

 8.2. Size:303K  ruichips
ru6888r.pdf

RU6888M
RU6888M

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 8.3. Size:295K  ruichips
ru6888s.pdf

RU6888M
RU6888M

RU6888SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 8.4. Size:450K  ruichips
ru6888r3.pdf

RU6888M
RU6888M

RU6888R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,Insulation Slug RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top