Справочник MOSFET. RU6888M

 

RU6888M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6888M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для RU6888M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6888M

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 8.1. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6888M

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

 8.2. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6888M

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 8.3. Size:295K  ruichips
 ru6888s.pdf pdf_icon

RU6888M

RU6888SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , IRFB4110 , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R .

History: PHP8ND50E

 

 
Back to Top

 


 
.