RU6H2K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU6H2K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
RU6H2K Datasheet (PDF)
ru6h2k.pdf
RU6H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4000m(Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Cha
ru6h2r.pdf
RU6H2RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/2A,RDS (ON) =4 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Ratin
ru6h2l.pdf
RU6H2LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/2A,D RDS (ON) =4000m(Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Cha
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
