RU6H5L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6H5L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU6H5L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H5L даташит

 ..1. Size:448K  ruichips
 ru6h5l.pdf pdf_icon

RU6H5L

RU6H5L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/4.5A, RDS (ON) =1.9 (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ra

Другие IGBT... RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, IRF630, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R, RU70200R