RU6H5L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU6H5L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU6H5L
RU6H5L Datasheet (PDF)
ru6h5l.pdf

RU6H5L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/4.5A, RDS (ON) =1.9 (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ra
Другие MOSFET... RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , IRF9540 , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R .
History: FDSS2407 | SWP038R10ES | BSP296 | SM6028NSFP | BSC0504NSI | SI4599DY | STF15N65M5
History: FDSS2407 | SWP038R10ES | BSP296 | SM6028NSFP | BSC0504NSI | SI4599DY | STF15N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013