Справочник MOSFET. RU6H9P

 

RU6H9P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6H9P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для RU6H9P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H9P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  ruichips
 ru6h9p.pdf pdf_icon

RU6H9P

RU6H9PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum

 9.1. Size:283K  ruichips
 ru6h9r.pdf pdf_icon

RU6H9P

RU6H9RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.