RU6Z8R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU6Z8R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6Z8R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6Z8R даташит

 ..1. Size:292K  ruichips
 ru6z8r.pdf pdf_icon

RU6Z8R

RU6Z8R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/8A, RDS (ON) =900m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO220 Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

Другие IGBT... RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, 2N7002, RU70100R, RU70190R, RU70200R, RU7080L, RU7085R, RU7088A, RU70E15L, RU70E4D