RU6Z8R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU6Z8R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU6Z8R
RU6Z8R Datasheet (PDF)
ru6z8r.pdf

RU6Z8RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/8A, RDS (ON) =900m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO220Applications High efficiency switch mode power supplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Paramete
Другие MOSFET... RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , K3569 , RU70100R , RU70190R , RU70200R , RU7080L , RU7085R , RU7088A , RU70E15L , RU70E4D .
History: AP2301EN-HF | TMA12N65H | SDFE22JAB
History: AP2301EN-HF | TMA12N65H | SDFE22JAB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet