Справочник MOSFET. RU6Z8R

 

RU6Z8R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6Z8R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6Z8R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6Z8R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  ruichips
ru6z8r.pdfpdf_icon

RU6Z8R

RU6Z8RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/8A, RDS (ON) =900m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO220Applications High efficiency switch mode power supplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Paramete

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.