RU70100R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU70100R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU70100R
RU70100R Datasheet (PDF)
ru70100r.pdf

RU70100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/100A, RDS (ON) =4.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems
ru70190r.pdf

RU70190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/190A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Battery Inverter/UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating
Другие MOSFET... RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , IRF1010E , RU70190R , RU70200R , RU7080L , RU7085R , RU7088A , RU70E15L , RU70E4D , RU70E4H .
History: 2SK1958 | SJMN070R60SW | MSF15N60 | NCEAP60T12AK
History: 2SK1958 | SJMN070R60SW | MSF15N60 | NCEAP60T12AK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907