Справочник MOSFET. RU8590R

 

RU8590R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU8590R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU8590R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU8590R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  ruichips
 ru8590r.pdf pdf_icon

RU8590R

RU8590RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Speed Power Switching UPSGSN-Chan

 8.1. Size:362K  ruichips
 ru8590s.pdf pdf_icon

RU8590R

RU8590SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDDApplications

Другие MOSFET... RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R , RU80N15S , RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G , 2N60 , RUE002N02TL , RUE003N02TL , RUF015N02TL , RUF025N02TL , RUL035N02TR , RUM001L02 , RUM002N02T2L , RUM002N05T2L .

History: AOD2810 | PSU04N65B | ASDM30P11TD | 2SJ213 | PSMN7R5-30MLD

 

 
Back to Top

 


 
.