RU8590R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU8590R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU8590R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU8590R даташит

 ..1. Size:315K  ruichips
 ru8590r.pdf pdf_icon

RU8590R

RU8590R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications High Speed Power Switching UPS G S N-Chan

 8.1. Size:362K  ruichips
 ru8590s.pdf pdf_icon

RU8590R

RU8590S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V D Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D D D Applications

Другие IGBT... RU8080S, RU8099R, RU80N15Q, RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, 20N50, RUE002N02TL, RUE003N02TL, RUF015N02TL, RUF025N02TL, RUL035N02TR, RUM001L02, RUM002N02T2L, RUM002N05T2L