RUM001L02 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

RUM001L02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: RUM001L02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RUM001L02

RUM001L02 Datasheet (PDF)

..1. Size:2209K rohm
rum001l02.pdf

RUM001L02DatasheetNch 20V 100mA Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-723VDSS20V SC-105AARDS(on)(Max.)3.5 VMT3ID100mAPD150mW lInner circuitllFeaturesl1) Low voltage drive(1.2V) makes this deviceideal for partable equipment.2) Drive circuits can be simple.3) Built-in G-S Protection Diode.lPackagi

..2. Size:584K ruichips
rum001l02.pdf

RUM001L02 Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data SheetlOutlineVDSS20VVMT3(3) RDS(on) (Max.)3.5WID100mA (1) PD150mW (2) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE l

9.1. Size:172K rohm
rum002n05.pdf

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

9.2. Size:100K rohm
rum003n02.pdf

RUM003N02 Transistor 1.8V Drive Nch MOSFET RUM003N02 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Base(IN)(Gate) Features (2)Emitter(GND)(Source)1) Low on-resistance. (3)Collector(OUT)(Drain)Abbreviated symbol : QT2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for portable equipment.

9.3. Size:214K rohm
rum002n02.pdf

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

9.4. Size:98K ruichips
rum003n02t2l.pdf