RUR040N02FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RUR040N02FRA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RUR040N02FRA
RUR040N02FRA Datasheet (PDF)
rur040n02fra.pdf

RUR040N02FRARUR040N02TransistorsAEC-Q101 Qualified1.5V Drive Nch MOSFETRUR040N02RUR040N02FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain App
rur040n02.pdf

RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02tl.pdf

RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02tl.pdf

RUR040N02TLwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Co
Другие MOSFET... RUL035N02TR , RUM001L02 , RUM002N02T2L , RUM002N05T2L , RUM003N02T2L , RUQ050N02FRA , RUQ050N02TR , RUR020N02TL , MMIS60R580P , RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , PHB108NQ03LT , PHB110NQ06LT , PHB110NQ08LT , PHB112N06T , PHB119NQ06T .
History: SST80R380S2 | WVM30N30 | NTD32N06-001 | SI2338DS-T1-GE3 | IRLB3036GPBF | IRHM7264SE | SMK0965FC
History: SST80R380S2 | WVM30N30 | NTD32N06-001 | SI2338DS-T1-GE3 | IRLB3036GPBF | IRHM7264SE | SMK0965FC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50