Справочник MOSFET. PHB222NQ04LT

 

PHB222NQ04LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB222NQ04LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 268 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB222NQ04LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB222NQ04LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 phb222nq04lt php222nq04lt.pdf pdf_icon

PHB222NQ04LT

PHP/PHB222NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 13 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 9.1. Size:91K  philips
 phb225nq04t php225nq04t.pdf pdf_icon

PHB222NQ04LT

PHP/PHB225NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

Другие MOSFET... PHB145NQ06T , PHB146NQ06LT , PHB152NQ03LTA , PHB153NQ08LT , PHB160NQ08T , PHB174NQ04LT , PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , IRF740 , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT .

History: HUFA75337G3 | TPC60R150C | BRCS065N08SHRA

 

 
Back to Top

 


 
.