PHB4ND40E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB4ND40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB4ND40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB4ND40E даташит

 ..1. Size:260K  philips
 phb4nd40e.pdf pdf_icon

PHB4ND40E

 9.1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

PHB4ND40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 A g Low thermal resistance RDS(ON) 2.5 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

Другие IGBT... PHB160NQ08T, PHB174NQ04LT, PHB176NQ04T, PHB193NQ06T, PHB222NQ04LT, PHB225NQ04T, PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, IRF540, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T