PHB4ND40E - аналоги и даташиты транзистора

 

PHB4ND40E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHB4ND40E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB4ND40E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB4ND40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  philips
 phb4nd40e.pdf pdf_icon

PHB4ND40E

 9.1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

PHB4ND40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

Другие MOSFET... PHB160NQ08T , PHB174NQ04LT , PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , IRF540N , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T .

History: SI3401 | BLV1N60A | STP23N80K5 | NCEP6035AG | NCEP40T20ALL | NCEP6015AS | IRF7326D2PBF

 

 
Back to Top

 


 
.