Справочник MOSFET. PHD16N03T

 

PHD16N03T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD16N03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD16N03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
 phd16n03t.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03TTrenchMOS standard level FETRev. 01 18 August 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHD16N03T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

 6.1. Size:91K  philips
 phd16n03lt.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference da

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2823 | SQJ460AEP | RU30E60M2 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.