PHD16N03T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD16N03T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD16N03T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD16N03T даташит

 ..1. Size:234K  philips
 phd16n03t.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 18 August 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHD16N03T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

 6.1. Size:91K  philips
 phd16n03lt.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 08 March 2004 Product data M3D300 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.4 Quick reference da

Другие IGBT... PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, IRF640N, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT