Справочник MOSFET. PHD16N03T

 

PHD16N03T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD16N03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD16N03T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD16N03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
 phd16n03t.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03TTrenchMOS standard level FETRev. 01 18 August 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHD16N03T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

 6.1. Size:91K  philips
 phd16n03lt.pdf pdf_icon

PHD16N03T

PHD16N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference da

Другие MOSFET... PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , IRF630 , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT .

History: STV200N55F3 | SPI15N60CFD | CED3172 | 2SK1546 | SM2F07NSU | CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.