PHD44N06LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD44N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 13 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD44N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD44N06LT даташит

 ..1. Size:64K  philips
 phd44n06lt.pdf pdf_icon

PHD44N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP44N06LT, PHB44N06LT, PHD44N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 44 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 28 m (VGS = 5 V) g Low thermal

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 phd44n06lt.pdf pdf_icon

PHD44N06LT

Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD44N06LT FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

Другие IGBT... PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, 2N7000, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, PHD98N03LT